對于專業(yè)的測試人員關(guān)于CP和FT的測試肯定是非常的了解了，但很多非測試專業(yè)的從業(yè)人員對這兩個概念其實了解并不像那樣深刻。所以本文將對于那些需要接觸測試但不是測試人員的人進行關(guān)于CP和FT的測試的講解。

按照國際慣例，首先需要再解釋一下什么是CP和FT測試.CP是（Chip Probe）的縮寫，指的是芯片在wafer的階段，就通過探針卡扎到芯片管腳上對芯片進行性能及功能測試，有時候這道工序也被稱作WS（Wafer Sort）；而FT是Final Test的縮寫，指的是芯片在封裝完成以后進行的最終測試，只有通過測試的芯片才會被出貨。

由于測試治具上的差異，CP和FT的不同點并不僅僅限于所處的工序階段不同，兩者在效率和功能覆蓋上都有著明顯的差異，這些信息是每一個IC從業(yè)人員需要基本了解的。

在絕大多數(shù)情況下，特別是在國內(nèi)，我們目前在CP測試上選用的探針都還是懸臂針（也有叫環(huán)氧針的，因為針是用環(huán)氧樹脂固定的緣故）。這種類型的針比較長，而且是懸空的，信號完整性控制上非常困難，所以一般數(shù)據(jù)的最高傳輸率只有100~400Mbps，高速信號的測試是幾乎不可能的；另外，探針和pad的直接接觸在電氣性能上也有局限，容易產(chǎn)生漏電和接觸電阻，這對于高精度的信號測量也會帶來巨大的影響。所以，通常CP測試僅僅用于基本的連接測試和低速的數(shù)字電路測試。

當然，理論上在CP階段也可以進行高速信號和高精度信號的測試，但這往往需要采用專業(yè)的高速探針方案，如垂直針/MEMS探針等技術(shù)，這會大大增加硬件的成本。多數(shù)情況下，這在經(jīng)濟角度上來說是不合算的。

那這樣一來，我們還需不需要CP測試？或者在CP測試階段如何對具體測試項目進行取舍呢？要回答這個問題，我們就必須對CP的目的有深刻的理解。那CP的目的究竟是什么呢？

如何區(qū)分CP測試和FT測試

首先，CP最大的目的就是確保在芯片封裝前，盡可能地把壞的芯片篩選出來以節(jié)約封裝費用。所以基于這個認識，在CP測試階段，盡可能只選擇那些對良率影響較大的測試項目，一些測試難度大，成本高但fail率不高的測試項目，完全可以放到FT階段再測試。這些項目在CP階段測試意義不大，只會增加測試的成本。要知道，增加一個復雜的高速或高精度模擬測試，不僅僅會增加治具的成本，還會增加測試機臺的費率和增加測試時間。這些測試項目在FT階段都是要測試的，所以沒有必要放在CP階段重復進行了。

其次，一些芯片的部分模組地管腳在封裝的時候是不會引出來了，也就是說在FT階段這些模組很難甚至無法測量。在這樣的情況下，測試就必須在CP階段進行。這也是必須進行CP測試的一個重要原因。

還有一種特殊情況，芯片的封裝是SIP之類的特殊形式。一方面這種封裝形式在FT階段可測性較低，而且多芯片合封的情況下，整體良率受每顆die的良率影響較大，所以一般需要在封裝前確保每顆die都是好品 （KGD： Known Good Die）。這種情況下，往往無論多困難，都需要在CP階段把所有測試項目都測一遍了。

所以，基于以上的認識，我們就比較容易在具體項目中判斷CP測試項目的取舍了。

簡單而言：

1） 因為封裝本身可能影響芯片的良率和特性，所以芯片所有可測測試項目都是必須在FT階段測試一遍的，而CP階段則是可選。

2） CP階段原則上只測一些基本的DC，低速數(shù)字電路的功能，以及其它一些容易測試或者必須測試的項目。凡是在FT階段可以測試，在CP階段難于測試的項目，能不測就盡量不測。一些類似ADC的測試，在CP階段可以只給幾個DC電平，確認ADC能夠基本工作。在FT階段再確認具體的SNR/THD等指標。

3） 由于CP階段的測試精度往往不夠準確，可以適當放寬測試判斷標準，只做初步篩選。精細嚴格的測試放到FT階段。

4） 如果封裝成本不大，且芯片本身良率已經(jīng)比較高?？梢钥紤]不做CP測試，或者CP階段只做抽樣測試，監(jiān)督工藝。

5） 新的產(chǎn)品導入量產(chǎn)，應(yīng)該先完成FT測試程序的開發(fā)核導入。在產(chǎn)品量產(chǎn)初期，F(xiàn)T遠遠比CP重要。等產(chǎn)品逐漸上量以后，可以再根據(jù)FT的實際情況，制定和開發(fā)CP測試。



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