一個晶圓要經歷三次的變化過程，才能成為一個真正的半導體芯片：首先，是將塊兒狀的鑄錠切成晶圓；在第二道工序中，通過前道工序要在晶圓的正面雕刻晶體管；最后，再進行封裝，即通過切割過程，使晶圓成為一個完整的半導體芯片?？梢?，封裝工序屬于后道工序，在這道工序中，會把晶圓切割成若干六面體形狀的單個芯片，這種得到獨立芯片的過程被稱作做“切單（Singulaton）”,而把晶圓板鋸切成獨立長方體的過程則叫做“晶片切割(Die Sawing)”。近來，隨著半導體集成度的提高，晶圓厚度變得越來越薄，這當然給“切單”工藝也帶來了不少難度。

一、晶圓切割(Wafer Dicing)的發(fā)展歷程

圖1. 晶圓切割方法的發(fā)展歷程（切單）

   前道和后道工序通過各種不同方式的互動而進一步發(fā)展：后道工序的進化可以決定晶圓上die單獨分離出的六面體小芯片）的結構和位置，以及晶片上焊盤（電連接路徑）的結構和位置；與之相反，前端工藝的進化則改變了后端工藝中的晶圓背面減薄和“晶片切割(Die Sawing)”晶圓的流程和方法。因此，封裝的外觀日益變得精巧，會對后端工藝帶來很大的影響。而且，根據包裝外觀的變化，切割次數(shù)、程序和類型也會發(fā)生相應的變化。那么，現(xiàn)在就讓我們一起通過芯片“切單”的演化過程，來看看五種切割方法吧。

二、劃片切割（Scribe Dicing）

圖2. 早期的劃片切割法：劃片后進行物理上的分割（Breaking）@直徑為6英寸以下的的晶圓

   早期，通過施加外力切割的“掰開（Breaking）”是唯一可以把晶圓分割成六面形的Die的切割法。然而，這種方法卻存小芯片邊緣剝落（Chipping）或產生裂紋等弊端。而且，由于沒有完全去除金屬表面的毛刺（Burr：切割時產生的一些殘渣），所以切割表面也非常粗糙。

   為了解決這一問題，“劃片（Scribing）”切割法應運而生，即在“掰開（Breaking）”前，將晶圓表面切割至大約一半的深度。“劃片”，顧名思義，是指使用葉輪在晶圓的正面事先鋸切（半切）。早期，6英寸以下的晶圓大部分都使用了這種現(xiàn)在芯片之間先“劃片”，再“掰開（Breaking）”的切割法。

三、刀片切割 (或鋸切) (Blade Dicing or Blade Sawing)

圖3-1. 刀片切割（鋸切）方法@傳統(tǒng)方法

   “劃片”切割法逐漸發(fā)展成為“刀片（Blade dicing）”切割（或鋸切）法，即連續(xù)使用刀片兩到三次進行切割的方法?！暗镀鼻懈罘梢詮浹a“劃片”后“掰開（Breaking）”時，小芯片剝落的現(xiàn)象，可在“切單（Singulation）”過程中起到保護小芯片的作用?！暗镀鼻懈钆c之前的“劃片”切割有所不同，即進行完一次“刀片”切割后，不是“掰開（Breaking）”，而是再次用刀片切割。所以，也把它稱為“分步切割（Step Dicing）”法。

圖3-2. 刀片切割（鋸切）過程中，保護膜的附著與摘除

   為了保護晶圓在切割過程中免受外部損傷，事先會在晶圓上貼敷膠膜，以便保證更安全的“切單”。“背面減?。˙ack Grinding）”過程中，膠膜會貼在晶圓的正面。但與此相反，在“刀片”切割中，膠膜要貼在晶圓的背面。而在共晶貼片（Die Bonding，把分離的芯片固定在PCB或定架上）過程中，貼會背面的這一膠膜會自動脫落。切割時由于摩擦很大，所以要從各個方向連續(xù)噴灑DI水。而且，葉輪要附有金剛石顆粒，這樣才可以更好地切片。此時，切口（刀片厚度：凹槽的寬度）必須均勻，不得超過劃片槽的寬度。

   很長一段時間，鋸切一直是被最廣泛使用的傳統(tǒng)的切割方法，其最大的優(yōu)點就是可以在短時間內切割大量的晶圓。然而，如果切片的進給速度（Feeding Speed）大幅提高，小芯片邊緣剝落的可能性就會變大。因此，應將葉輪的旋轉次數(shù)控制在每分鐘30000次左右?？梢?，半導體工藝的技術往往是通過很長一段時間的積累和試錯，慢慢積累的秘訣（在下一節(jié)有關共晶貼片的內容上，將討論有關切割與DAF的內容）。

四、先切割、后減薄 (DBG，Dicing Before Grinding): 切割順序改變了方法

圖4. 現(xiàn)存的刀片切割&DBG（先切割，后減?。┓椒?/span>

   在直徑為8英寸晶圓上進行刀片切割時，不用擔心小芯片邊緣剝落或裂紋等現(xiàn)象。但隨著晶圓直徑增加至21英寸，且厚度變也得極薄，剝落與裂紋現(xiàn)象又開始出現(xiàn)了。為了大幅減少在切割過程中對晶圓的物理沖擊，“先切割、后研磨”的DBG方法取代了傳統(tǒng)的切割順序。 與連續(xù)進行切割的傳統(tǒng)“刀片”切割法不同，DBG先進行一次“刀片”切割后，就通過不斷的背面減薄使晶圓厚度逐漸變薄，直到芯片分裂為止?？梢哉f，DBG時以往“刀片”切割法的升級版，因為它可以減少第二次切割帶來的沖擊，所以，DBG方法在“晶圓級封裝”上得到了迅速的普及。

五、激光切割(Laser Dicing)

圖5. 傳統(tǒng)激光切割（grooving）&激光隱形切割（SD）方法的比較

   晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP，Wafer Level Chip Scale Package）工藝主要采用激光切割法。采用激光切割可以減少剝落和裂紋等現(xiàn)象，從而獲得更優(yōu)質的芯片，但晶圓厚度為100μm以上時，生產率將大打折扣。所以，多用在厚度不到100μm（相對較薄）的晶圓上。激光切割是通過在晶圓的劃片槽上施加高能量的激光來切割硅。但使用傳統(tǒng)的激光(Conventional Laser)切割法，要在晶圓表面上事先涂層保護膜。因為，在晶圓表面加熱或照射激光等，這些物理上的接觸會晶圓表面會產生凹槽，而且切割的硅碎片也會粘附在表面上?？梢?，傳統(tǒng)的激光切割法也是直接切割晶圓表面，在這一點上，它與“刀片”切割法有相似之處。

   激光隱形切割（SD, Stealth Dicing）則是先用激光能量切割晶圓的內部，再向貼附在背面的膠帶施加外部壓力，使其斷裂，從而分離芯片的方法。當向背面的膠帶施加壓力時，由于膠帶的拉伸，晶圓將被瞬間向上隆起，從而使芯片分離。相對傳統(tǒng)的激光切割法SD的優(yōu)點為：一是沒有硅的碎屑；二是切口（Kerf：劃片槽的寬度）窄，所以可以獲得更多的芯片。此外，使用SD方法剝落和裂紋現(xiàn)象也將大大減少，這至關定切割的整體質量。因此，SD方法非常有望成為未來最受青睞的一項技術。

六、等離子切割(Plasma Dicing)

   等離子切割作時最近發(fā)展起來的一項技術，即在制造（Fab）過程中使用等離子蝕刻的方法進行切割。等離子切割法用半氣體材料代替了液體，所以對環(huán)境影響相對較小。而且采用了對整個晶圓一次性切割的方法，所以“切單”速度也相對較快。然而，等離子方法要以化學反應氣體為原料，且蝕刻過程非常復雜，因此其工藝流程相對較繁瑣。但與“刀片”切割、激光切割相比，等離子切割不會給晶圓表面造成損傷，從而可以降低不良率，獲得更多的芯片。

   近來，由于晶圓厚度已減小至30μm，且使用了很多銅（Cu）或低介電常數(shù)等材料（Low-k ）。因此，為了防止毛刺（Burr），等離子切割方法也將受到青睞。當然，等離子切割技術也在不斷的發(fā)展中，相信不久的將來，終有一天蝕刻時可以不再需要佩戴專用口罩，因為這就是等離子切割的一大發(fā)展方向。

   隨著晶圓的厚度從100μm到50μm、再到30μm、不斷變薄，獲得獨立芯片的切割方法也從“掰開（breaking）”、“刀片”切割，到激光切割，再到等離子切割，不斷變化發(fā)展著。日趨成熟的切割方法，雖然帶來了切割工藝本身生產成本的增加，但另一方面，通過大幅減少半導體芯片切割中經常出現(xiàn)的剝落、裂紋等不良現(xiàn)象和單位晶圓上芯片獲得量的增多，單個芯片的生產成本反而卻呈現(xiàn)出下降趨勢。當然，晶圓單位面積芯片獲得量的增加，與劃片槽（Dicing Street寬度）寬度的縮小有著密切的關系。采用等離子切割法，相對采用“刀片”切割法，可以獲得將近20%的更多的芯片，這也是為什么人們選擇等離子切割法的一大原因。隨著晶圓、芯片外觀和封裝方法的發(fā)展變化，晶圓加工技術和DBG等各種切割工藝也正在應運而生。

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